ยูนิต CPU พร้อมพอร์ตอนุกรมในตัว KV-700

รุ่น

KV-700

ชนิด

ยูนิต CPU

ข้อมูลจำเพาะทั่วไป

แรงดันแหล่งจ่ายไฟ

24 VDC (±10%)

อุณหภูมิแวดล้อม

0 ถึง +50°C (ไม่เป็นน้ำแข็ง)^*1*2

ความชื้นแวดล้อมในการทำงาน

35 ถึง 85%RH (ไม่เป็นน้ำแข็ง)^*1

อุณหภูมิแวดล้อมสำหรับการจัดเก็บ

-20 ถึง +70 °C^*3

สภาพแวดล้อมในการทำงาน

สภาพแวดล้อมที่มีฝุ่นผงและก๊าซกัดกร่อนน้อยที่สุดที่เป็นไปได้

ความสูง

2,000 ม. หรือน้อยกว่า

ความต้านทานของสัญญาณรบกวน

1,500 Vp-p หรือมากกว่า, ความกว้างของพัลส์: 1 µs, 50 ns (โดยใช้อุปกรณ์จำลองสัญญาณรบกวน) ที่มีคุณลักษณะตามมาตรฐาน IEC (IEC 61000, 4-2/3/4/6)

การทนต่อแรงดันไฟฟ้า

1,500 VAC เป็นเวลา 1 นาที ระหว่างขั้วของแหล่งจ่ายไฟและขั้วของ I/O และระหว่างขั้วภายนอกทั้งหมดและตัวโครง

ความต้านทานของฉนวน

50 MΩ หรือมากกว่า (ทดสอบด้วยเครื่องวัดความต้านทานฉนวนเม็กเกอร์ขนาดแรงดันทดสอบ 500 VDC ระหว่างขั้วของแหล่งจ่ายไฟและขั้วต่างๆ ของ I/O และระหว่างขั้วภายนอกต่างๆ ทั้งหมดและตัวโครง)

การป้องกันการกระแทก

อัตราเร่ง: 150 m/s², เวลาทำงาน: 11 ms สองครั้งในทิศทางตามแกน X, Y และ Z

แรงดันไฟฟ้าประเภท

II (เมื่อใช้ KV-U7)

ระดับมลภาวะ

2

ความทนทานต่อสภาพแวดล้อม

ความทนทานต่อการสั่นสะเทือน

การสั่นสะเทือนเป็นระยะ: ความถี่ 10 ถึง 57 Hz

ครึ่งแอมพลิจูด: 0.075 มม.^*4

การสั่นสะเทือนเป็นระยะ: ความถี่ 57 ถึง 150 Hz

อัตราเร่ง: 9.8 m/s^2*4

การสั่นสะเทือนต่อเนื่อง: ความถี่ 10 ถึง 57 Hz

ครึ่งแอมพลิจูด: 0.035 มม.^*4

การสั่นสะเทือนต่อเนื่อง: ความถี่ 57 ถึง 150 Hz

อัตราเร่ง: 4.9 m/s^2*4

ข้อมูลจำเพาะด้านประสิทธิภาพ

โหมดควบคุมทางคณิตศาสตร์

โหมดโปรแกรมการจัดเก็บ

โหมดควบคุม I/O

โหมดรีเฟรช

ภาษาโปรแกรม

แลดเดอร์ขยาย, นีโมนิก (Mnemonic)

จำนวนคำสั่ง

คำสั่งพื้นฐาน: 67 class, 122 คำสั่ง
คำสั่งประยุกต์: 19 class, 19 คำสั่ง
คำสั่งการทำงานทางคณิตศาสตร์: 64 class, 294 คำสั่ง
คำสั่งขยาย: 31 class, 48 คำสั่ง
รวม: 181 class, 483 คำสั่ง

ความเร็วในการประมวลผลคำสั่ง

คำสั่งพื้นฐาน: ต่ำสุด 100 ns
คำสั่งประยุกต์: ต่ำสุด 100 ns

ความจุของโปรแกรม

ประมาณ 16k ระดับ (ประมาณ 32k ระดับสำหรับการเพิ่มหน่วยความจำ)

จำนวนยูนิตสูงสุดที่จะติดตั้ง

16 ยูนิต (48 ยูนิต เมื่อเชื่อมต่อยูนิตขยาย)

จำนวนจุด I/O สูงสุด

สูงสุด 3,086 จุดสำหรับการขยาย (KV-EB1S/KV-EB1R: เมื่อขยายเพิ่ม 2 ยูนิต ใช้ยูนิต I/O 64 จุด)

อุปกรณ์ชนิดบิต

รีเลย์อินพุต R

รวมทั้งสิ้น 9,530 จุด 1 บิต

รีเลย์เอาต์พุต R

รีเลย์เสริมภายใน R

คอนโทรลรีเลย์ CR

640 จุด 1 บิต

อุปกรณ์ชนิดเวิร์ด

ไทม์เมอร์ T

รวมทั้งสิ้น 512 จุด 32 บิต

เคาน์เตอร์ C

หน่วยความจำข้อมูล DM

20,000 จุด 16 บิต (40,000 จุด 16 บิตสำหรับการเพิ่มหน่วยความจำ)

หน่วยความจำข้อมูลชั่วคราว TM

512 จุด 16 บิต

เคาน์เตอร์ความเร็วสูง CTH

2 จุด 32 บิต

ตัวเปรียบเทียบเคาน์เตอร์ความเร็วสูง CTC

4 จุด, 32 บิต (2 จุดต่อเคาน์เตอร์ความเร็วสูงหนึ่งตัว)

หน่วยความจำควบคุม CM

4,000 จุด 16 บิต

เอาต์พุตพัลส์กำหนดตำแหน่ง

2 จุด (ความถี่เอาต์พุตสูงสุด: 100 kHz)

I/O ยูนิต CPU

อินพุต: 10 จุด, เอาต์พุต: 4 จุด

ฟังก์ชันคงค่าการแสดงผลเมื่อกระแสไฟฟ้าขัดข้อง

หน่วยความจำโปรแกรม

Flash ROM, สามารถเขียนใหม่ได้ 100,000 ครั้ง

อุปกรณ์

5 ปี (อุณหภูมิแวดล้อมในการทำงาน 25 °C ในโหมดคงค่าการแสดงผลเมื่อกระแสไฟฟ้าขัดข้อง)^*5

ฟังก์ชันการตรวจสอบตัวเอง

CPU ผิดปกติ, RAM ผิดปกติ, อื่นๆ

การสิ้นเปลืองกระแสไฟฟ้าภายใน

ยูนิต CPU: 160 mA หรือน้อยกว่า
ยูนิตขยาย: KV-EB1S 15 mA หรือน้อยกว่า, KV-EB1R 25 mA หรือน้อยกว่า (ไม่รวมกระแสขับของลูปอินพุต)

น้ำหนัก

ยูนิต CPU: KV-700 ประมาณ 240 กรัม, หน่วยความจำเพิ่มเติมสำหรับ, KV-700 (OP-42138) ประมาณ 10 กรัม
ยูนิตปิดท้าย: 30 g, ยูนิตเริ่มต้นของ KV-1000/700: ประมาณ 30 กรัม
ยูนิตขยาย: KV-EB1S ประมาณ 90 กรัม, KV-EB1R ประมาณ 115 กรัม